Вітаю Вас ГістьП`ятниця, 20.10.2017, 02:56

ІНТЕЛЕКТ.UA


Головна » 2016 » Липень » 22 » Науковці розробили гнучкий пристрій для зберігання пам’яті
10:41
Науковці розробили гнучкий пристрій для зберігання пам’яті

Спеціалісти Національного університету Сінгапуру розробили нову технологію інтеграції швидкодіючого чіпу магнітної пам’яті на гнучку пластикову підкладку під назвою MRAM . Зовні пристрій нагадує прозору плівку з ледь помітним малюнком на ній. Для зберігання даних використовуються магнітні тунельні переходи на основі оксиду магнію. MRAM перевершує традиційну оперативну пам'ять за багатьма аспектами – він енергонезалежний, швидше обробляє дані та потребує небагато енергії. При створенні пристрою дослідники спочатку виростили магнітний тунельний перехід, після чого видали кремнієвий елемент, а магнітну пам'ять, що залишилася, перенесли на пластикову підкладку з поліетилентерефталату. Технологія вже запатентована в США та Кореї. Такий спосіб науковці хочуть використовувати для виробництва гнучких електронних приладів, які можна застосовувати в портативній електроніці. 

Переглядів: 236 | Додав: Admin | Рейтинг: 0.0/0
Статистика

Онлайн всього: 1
Гостей: 1
Користувачів: 0
Новини науки
Інформ-партнер
Наше опитування
Чи є в Україні бізнес, який підтримує дитячий інтелект?
Всього відповідей: 753
ПОДІЇ
Календар свят і подій. Листівки, вітання та побажання
ПОШУК